HXY3439UI_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:0.8A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:320mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該場效應管采用NP溝道組合設計，集成兩種極性MOSFET于單一封裝，適用于需要雙向開關或互補控制的電路拓撲。漏源電壓VDSS為20V，漏極電流ID達0.8A，N溝道導通電阻RDON為320mΩ，支持最高12V柵源電壓。器件具備良好的開關響應與對稱性能，適合用于低電壓電源切換、電池供電設備的極性切換控制、便攜式電子產品中的信號路由與負載管理，以及小型電子模塊的H橋驅動電路，滿足對空間緊湊、功耗敏感的應用需求，實現高效的功率控制與系統集成。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

^{<blockquote id="bfkhe"></blockquote>}

HXY3439UI_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:0.8A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:320mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:0.8A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:320mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢