HESDHC3V3U1AF-A_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數(shù)1：IPP:7.5A 參數(shù)2：VRWM:3.3V 參數(shù)3：CJ:100pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該TVS二極管為單通道單向設(shè)計(jì)，具備7.5A的峰值脈沖電流承受能力，適用于瞬態(tài)過電壓防護(hù)。反向工作電壓為3.3V，結(jié)電容為100pF，適合保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口和低電壓電路。單向結(jié)構(gòu)可有效抑制正向過壓事件，常用于電源軌、USB接口及敏感模擬或數(shù)字線路的靜電放電（ESD）和浪涌保護(hù)，滿足消費(fèi)類電子與通信設(shè)備中對(duì)信號(hào)完整性和元器件可靠性的防護(hù)需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

HESDHC3V3U1AF-A_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數(shù)1：IPP:7.5A 參數(shù)2：VRWM:3.3V 參數(shù)3：CJ:100pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數(shù)1：IPP:7.5A 參數(shù)2：VRWM:3.3V 參數(shù)3：CJ:100pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢