HXYT140N120MPC_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):140A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.55V 參數4：二極管正向電流(IF):140A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該IGBT模塊具有140A的集電極電流承載能力，集射極擊穿電壓高達1200V，適用于高電壓工作環境。其集射極飽和電壓為1.55V，配合額定140A的反并聯二極管（正向壓降2.01V），可支持大電流雙向導通需求。器件具備較強的耐壓與熱穩定性，適用于高壓直流變換、逆變電源及大功率能量管理系統中的開關與續流環節，能夠滿足對效率和可靠性要求較高的電力電子拓撲結構應用。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYT140N120MPC_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：集電極電流(Ic):140A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.55V 參數4：二極管正向電流(IF):140A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):140A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.55V 參數4：二極管正向電流(IF):140A 標價：歡迎咨詢