HXYT50N120MPC_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):50A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.9V 參數4：二極管正向電流(IF):50A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該IGBT具備50A的集電極電流和1200V的集射極擊穿電壓，適用于高電壓、大電流工作環境。其集射極飽和電壓為1.9V，有助于降低導通損耗，提升系統效率。內置反并聯二極管具有50A正向電流能力，正向壓降為2.7V，可有效支持續流和能量回饋操作。該器件適用于中高功率電力變換裝置，如逆變電源、開關電源、太陽能逆變系統及電機驅動單元，能夠滿足對熱穩定性與開關性能要求較高的應用場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYT50N120MPC_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：集電極電流(Ic):50A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.9V 參數4：二極管正向電流(IF):50A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):50A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.9V 參數4：二極管正向電流(IF):50A 標價：歡迎咨詢