HXYS81N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅場效應管具備1200V的漏源擊穿電壓，可承受高達81A的連續漏極電流，導通電阻僅為21mΩ，有效降低導通損耗。基于碳化硅材料的特性，器件具有優異的開關性能和高溫工作能力，適用于高功率密度電源轉換場合。其低寄生參數設計有助于提升系統效率，減少散熱需求。典型應用包括高效直流變換模塊、高壓電源系統及可再生能源發電中的功率調節單元，適合對能效和可靠性要求較高的電力電子設計。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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HXYS81N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢