HXY3139AF3_DFN1006-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：10000/圓盤參數1：ID:0.8A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:350mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該P溝道場效應管具有-20V的漏源電壓（VDSS）和-0.8A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(ON)）典型值為350mΩ，在柵源電壓（VGS）為-12V時表現穩定。器件適用于低電壓開關應用，可用于電源管理電路中的極性保護、負載開關或電池供電設備中的信號通斷控制。其較小的導通電阻有助于降低功耗，提高系統能效，適合對空間和效率有要求的便攜式電子產品。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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HXY3139AF3_DFN1006-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：ID:0.8A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:350mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：10000/圓盤參數1：ID:0.8A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:350mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢