MBR0560T1G_SOD-123_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-123 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:0.5A 參數2：VR:60V 參數3：VF:0.7V 參數4：IR:80uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該肖特基二極管具有0.5A的平均整流電流（IF）和60V的最大反向電壓（VR），正向導通壓降（VF）典型值為0.7V，有助于降低功耗并提升能效。在反向偏置條件下，漏電流（IR）低至80μA，可有效減少靜態損耗。器件能承受最高5.5A的峰值浪涌電流（IFSM），具備良好的瞬態過載能力。其特性適用于電源整流、DC-DC轉換、反向極性保護及高頻開關電路，適合對效率和可靠性有要求的低電壓應用場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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MBR0560T1G_SOD-123_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-123 類別：肖特基二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：IF:0.5A 參數2：VR:60V 參數3：VF:0.7V 參數4：IR:80uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-123 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:0.5A 參數2：VR:60V 參數3：VF:0.7V 參數4：IR:80uA 標價：歡迎咨詢