HXY70P02NF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:70A 參數2：VDSS:18V 參數3：RDON:4.2mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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這是一款P溝道場效應管（MOSFET），具有18V的漏源電壓（VDSS）和12V的柵源電壓（VGS）能力，適用于中低電壓開關場景。其連續漏極電流（ID）可達70A，導通電阻（RDON）低至4.2mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。低RDON特性使其在大電流應用中發熱量較小，適合對熱性能有要求的電路設計。該器件適用于電源管理、直流負載開關、電池供電設備中的逆極性保護以及高側開關等應用，為需要高效、緊湊功率控制的電子系統提供可靠的解決方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY70P02NF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:18V 參數3：RDON:4.2mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:70A 參數2：VDSS:18V 參數3：RDON:4.2mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢