HXYT160N65MPC_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數(shù)1：集電極電流(Ic):160A 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數(shù)3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.37V 參數(shù)4：二極管正向電流(IF):160A 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該IGBT模塊具有160A的集電極連續(xù)電流能力，集射極擊穿電壓達650V，適用于較高功率等級的電力轉換應用。其集射極飽和電壓為1.37V，在高負載條件下具備較低的導通損耗，有助于提升整體能效。內(nèi)部集成的反并聯(lián)二極管可承載160A正向電流，正向壓降為1.33V，支持高效續(xù)流操作。該器件適用于大功率逆變電路、開關電源模塊、電機驅動系統(tǒng)及能量變換裝置，能夠滿足對電流承載能力與熱穩(wěn)定性要求較高的設計需求，適用于需要高功率密度和可靠開關性能的場合。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

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