HXY4N50D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:4A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:2400mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具備500V高漏源耐壓，連續漏極電流為4A，導通電阻為2400mΩ，在30V柵源電壓下可實現穩定開關控制。器件適用于高壓功率開關應用，具備良好的熱穩定性和擊穿裕量。其高耐壓特性適合用于離線式電源轉換電路，如反激變換器、高壓側開關及直流高壓負載的驅動控制。典型應用場景包括開關電源的功率級、高壓LED照明驅動、適配器中的主開關管以及需要直接接入高壓母線的功率控制模塊，滿足對電氣隔離與安全裕度要求較高的設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY4N50D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:4A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:2400mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:4A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:2400mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢