HXY3400I-SW_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:4.5A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:25mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有20V漏源電壓（VDSS）和12V柵源電壓（VGS），在VGS=12V時導通電阻為25mΩ，最大連續漏極電流（ID）達4.5A。低RDSON有助于降低導通損耗，提高電源轉換效率。適用于高密度電源管理系統，如便攜式電子設備的開關電源、同步整流電路及電池供電系統的負載開關。其快速開關響應和良好的熱穩定性，適合用于對能效和空間布局有要求的高頻功率轉換應用，支持緊湊型電源設計的性能需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY3400I-SW_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:4.5A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:25mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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