HESDUC5VB1GF-C_DFN0603-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：15000/圓盤參數(shù)1：IPP:4A 參數(shù)2：VRWM:5V 參數(shù)3：CJ:0.55pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該器件是一款單通道雙向靜電與浪涌保護二極管，具備4A的峰值脈沖電流承受能力，可有效抑制瞬態(tài)過電壓。其反向工作電壓為5V，結(jié)電容低至0.55pF，適用于高速信號線路的防護，能減少信號衰減并保持傳輸完整性。器件在正常工作狀態(tài)下呈現(xiàn)高阻態(tài)，當(dāng)遭遇靜電放電或浪涌干擾時迅速導(dǎo)通，將瞬態(tài)能量泄放至地，保護后級敏感電路。典型應(yīng)用包括高速數(shù)據(jù)接口、通信端口及便攜式電子設(shè)備的信號線保護。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDUC5VB1GF-C_DFN0603-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：15000/圓盤 參數(shù)1：IPP:4A 參數(shù)2：VRWM:5V 參數(shù)3：CJ:0.55pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：15000/圓盤參數(shù)1：IPP:4A 參數(shù)2：VRWM:5V 參數(shù)3：CJ:0.55pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢