1SMAF4755A_SMAF_穩(wěn)壓二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMAF 類別：穩(wěn)壓二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:6A 參數(shù)2：VR:43V 參數(shù)3：VF:1V 參數(shù)4：IR:1.2uA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該穩(wěn)壓二極管具有43V的反向擊穿電壓（VR），可在輸入電壓波動時實現(xiàn)精確的電壓箝位與穩(wěn)定輸出。正向?qū)娏鳎↖F）為6A，正向?qū)▔航担╒F）僅為1V，具備較低的導(dǎo)通損耗。反向漏電流為1.2μA，表現(xiàn)出良好的反向阻斷性能。器件最大耗散功率（PD）為1W，適用于中等功率電源電路。常用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、充電設(shè)備及通信模塊中的過壓保護(hù)與穩(wěn)壓環(huán)節(jié)，有助于提升系統(tǒng)工作穩(wěn)定性與安全性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

1SMAF4755A_SMAF_穩(wěn)壓二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMAF 類別：穩(wěn)壓二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：IF:6A 參數(shù)2：VR:43V 參數(shù)3：VF:1V 參數(shù)4：IR:1.2uA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMAF 類別：穩(wěn)壓二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:6A 參數(shù)2：VR:43V 參數(shù)3：VF:1V 參數(shù)4：IR:1.2uA 標(biāo)價：歡迎咨詢