HXY4886DF_DFN3X3B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:20A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:17mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該NN溝道場效應管具有20A的漏極連續電流（ID）和40V的漏源電壓（VDSS），支持±20V柵源電壓，單管導通電阻低至17mΩ。雙N溝道設計可實現對稱開關特性，適用于需要雙向控制或并聯工作的電路架構。低RDON有助于降低功率損耗，提高能效表現。器件適合用于高效率DC-DC變換器、同步整流模塊、便攜式設備電源管理及大電流負載驅動等應用，滿足對熱性能與空間布局有較高要求的電子產品設計。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY4886DF_DFN3X3B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:17mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:20A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:17mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢