HXYY10N70D_TO-252-2L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:10A 參數(shù)2：VDSS:700V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該氮化鎵晶體管為N溝道增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管（HEMT），具備10A的連續(xù)漏極電流（ID）和700V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻低至160mΩ。該器件利用氮化鎵材料的高電子遷移率特性，實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度與更高的功率轉(zhuǎn)換效率。適用于高頻率、高效率的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如開關(guān)模式電源、DC-DC變換器、無線充電模塊及高密度電源適配器等場景，有助于減小無源器件尺寸并提升系統(tǒng)整體能效。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

HXYY10N70D_TO-252-2L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:10A 參數(shù)2：VDSS:700V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:10A 參數(shù)2：VDSS:700V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢