HESDHC5VB1AF-A_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:100A 參數2：VRWM:5V 參數3：CJ:200pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該ESD保護二極管為單通道雙向設計，適用于低電壓信號線路的瞬態過壓防護。其反向工作電壓（VRWM）為5V，可兼容多種常用邏輯電平。器件具備100A的峰值脈沖電流（IPP）承受能力，能有效吸收和泄放靜電等瞬態能量。200pF的結電容（CJ）表明其適用于中低速信號接口，可為數據端口、控制引腳等提供可靠的靜電放電（ESD）和電性快速瞬時（EFT）防護，防止敏感電路因瞬態電壓而發生功能異常或損壞，確保系統在復雜電磁環境下的穩定性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDHC5VB1AF-A_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：IPP:100A 參數2：VRWM:5V 參數3：CJ:200pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:100A 參數2：VRWM:5V 參數3：CJ:200pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢