HXYS30N120T6_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數1：ID:30A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:18V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具有1200V的漏源擊穿電壓和30A的連續漏極電流能力，導通電阻低至75mΩ，可在高電壓條件下有效降低導通損耗，提升系統效率。推薦柵源電壓為18V，確保器件穩定工作于增強模式。依托碳化硅材料特性，器件具備優異的高溫工作性能與高頻開關能力，反向恢復損耗極小，適用于高功率密度電源轉換場合。典型應用包括高壓DC-DC變換器、不間斷電源、光伏逆變裝置及儲能系統的主開關單元，有助于實現緊湊化設計與高效能量傳輸。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYS30N120T6_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:18V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數1：ID:30A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:18V 標價：歡迎咨詢