HXYT40N120MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):40A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.7V 參數4：二極管正向電流(IF):40A 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

該IGBT模塊具有40A的集電極連續電流能力，集射極擊穿電壓達1200V，適用于高電壓耐受需求的功率轉換場合。其集射極飽和電壓為1.7V，在額定工況下導通損耗較低，有助于提升系統能效。模塊內置反并聯二極管，可承載40A正向電流，二極管正向壓降為1.85V，具備良好的續流性能。該器件結合了較高的電壓阻斷能力與穩定的通態特性，適用于大功率開關電源、高壓逆變裝置、可再生能源發電系統及大電流電機驅動單元，能夠在高頻開關與高溫環境下提供可靠的功率控制功能。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYT40N120MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：集電極電流(Ic):40A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.7V 參數4：二極管正向電流(IF):40A 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):40A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.7V 參數4：二極管正向電流(IF):40A 標價：歡迎咨詢