HXY33N10P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:33A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:30mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本款N溝道場效應管具有100V漏源電壓（VDSS）和33A連續漏極電流（ID），導通電阻低至30mΩ，有效減少導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為±20V，支持標準驅動電平。器件具備優良的開關特性和熱性能，適用于中壓大電流功率轉換場景，如高密度開關電源、同步整流模塊、電動設備電源管理單元及高效DC-DC變換器。其低電阻與高電流能力有助于簡化散熱設計，適合對能效和功率密度有要求的高性能電子系統應用。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY33N10P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:33A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:30mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:33A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:30mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢