HXYT60N120MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):60A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.65V 參數4：二極管正向電流(IF):60A 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該IGBT具備1200V集射極擊穿電壓，可承受較高電壓應力，適用于高功率轉換場合。集電極電流為60A，集射極飽和電壓為1.65V，具備較低的導通損耗。內置續流二極管，正向電流與集電極電流匹配，達60A，正向壓降為2.35V，有助于提升續流效率。器件在高電壓、大電流條件下表現出良好的開關特性與導通性能，適用于需要直流到交流或交流到直流電能轉換的裝置，如電源逆變、電機驅動與能量回饋系統等場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYT60N120MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：集電極電流(Ic):60A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.65V 參數4：二極管正向電流(IF):60A 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):60A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.65V 參數4：二極管正向電流(IF):60A 標價：歡迎咨詢