HXY49N05T_TO-263_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數1：ID:49A 參數2：VDSS:55V 參數3：RDON:9mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有55V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）能力，持續漏極電流可達49A（ID），導通電阻低至9mΩ。器件采用高電流傳導設計，適用于大電流開關應用，可有效降低導通損耗，提升系統效率。其低電阻特性使其適合用于高功率密度電源轉換電路，如同步整流模塊、直流電機驅動及電池供電設備中的功率控制。在需要高效能、低發熱的電子系統中表現出良好的電氣性能與可靠性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY49N05T_TO-263_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:49A 參數2：VDSS:55V 參數3：RDON:9mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數1：ID:49A 參數2：VDSS:55V 參數3：RDON:9mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢