2SB1260R_SOT-89_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-89 類別：三極管(BJT) 最小包裝：1000/圓盤參數(shù)1：IC:1A 參數(shù)2：VCEO:80V 參數(shù)3：FT:100MHz 參數(shù)4：TYPE:PNP 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該P(yáng)NP型三極管具有1A集電極電流（IC）和80V集電極-發(fā)射極耐壓（VCEO），適用于中功率放大與開關(guān)電路。其直流電流增益（HFE）在180至390之間，提供較高的信號(hào)放大能力與工作穩(wěn)定性。最高工作頻率（FT）達(dá)100MHz，具備良好的高頻響應(yīng)特性，適合處理高頻模擬信號(hào)與快速開關(guān)操作。器件具有較低的飽和壓降和可靠的開關(guān)特性，常用于電源管理模塊、音頻功率放大、信號(hào)切換電路及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電流控制與驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，適用于對(duì)耐壓、增益和頻率性能均有要求的通用模擬與數(shù)字電路設(shè)計(jì)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

2SB1260R_SOT-89_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-89 類別：三極管(BJT) 最小包裝：1000/圓盤 參數(shù)1：IC:1A 參數(shù)2：VCEO:80V 參數(shù)3：FT:100MHz 參數(shù)4：TYPE:PNP 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-89 類別：三極管(BJT) 最小包裝：1000/圓盤參數(shù)1：IC:1A 參數(shù)2：VCEO:80V 參數(shù)3：FT:100MHz 參數(shù)4：TYPE:PNP 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢