HXY5N40P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:5.5A 參數2：VDSS:400V 參數3：RDON:920mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該N溝道場效應管具有400V的漏源電壓（VDSS）和30V的柵源電壓（VGS），可承受持續的5.5A漏極電流（ID）。導通電阻典型值為920mΩ，在中等功率開關應用中具備較低的導通損耗。器件采用標準封裝，柵極驅動電壓兼容性強，適用于需要高壓側開關控制的電路。廣泛用于電源轉換、電機驅動模塊、LED照明調光及高效率DC-DC變換器中，作為主開關元件提供穩定可靠的性能。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY5N40P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:5.5A 參數2：VDSS:400V 參數3：RDON:920mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:5.5A 參數2：VDSS:400V 參數3：RDON:920mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢