HXY16N65T_TO-263_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數(shù)1：ID:16A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:450mR 參數(shù)4：VGS:30V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場效應(yīng)管具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和30V的柵源電壓（VGS）能力，可持續(xù)通過16A的漏極電流（ID）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）為450mΩ，在高電壓應(yīng)用中可有效控制導(dǎo)通損耗。適用于高電壓開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換電路以及需要高壓功率控制的場合，作為關(guān)鍵開關(guān)元件實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換與調(diào)節(jié)。N溝道結(jié)構(gòu)配合高耐壓特性，適合用于要求高效率與穩(wěn)定性的功率管理系統(tǒng)中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY16N65T_TO-263_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:16A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:450mR 參數(shù)4：VGS:30V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數(shù)1：ID:16A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:450mR 參數(shù)4：VGS:30V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢