HXY13N50F_TO-220F_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:13A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:400mR 參數(shù)4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場效應(yīng)管具有500V的漏源電壓（VDSS）和30V的柵源電壓（VGS），可承受最高13A的連續(xù)漏極電流（ID）。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）低至400mΩ，有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。器件采用標準封裝，適用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機驅(qū)動等高電壓、中等電流的應(yīng)用場景。憑借穩(wěn)定的電氣參數(shù)和良好的熱性能，可在較寬的工作條件下保持可靠運行，適合用于各類中高壓功率控制電路設(shè)計。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY13N50F_TO-220F_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:13A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:400mR 參數(shù)4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:13A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:400mR 參數(shù)4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢