HXYS55N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:55A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：VGS:18V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅場效應管具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和55A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為40mΩ，柵源電壓最大支持18V。基于碳化硅材料特性，器件具備優異的耐高壓能力與快速開關特性，可有效減少開關損耗并提升系統效率。適用于高電壓、高頻率的電力轉換場景，如大功率開關電源、高壓直流配電模塊、可再生能源逆變系統及高密度功率因數校正電路，能夠在高溫與高電場環境下穩定工作，滿足嚴苛電力電子應用需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：VGS:18V 標價：歡迎咨詢

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