HXYS117N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:117A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:33mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅場效應管（SiC MOSFET）具備1200V的高漏源電壓（VDSS）和117A的連續漏極電流能力，導通電阻僅為33mΩ。基于碳化硅材料特性，器件具有優異的耐壓性能與高溫工作穩定性，同時降低開關損耗，提升系統能效。適用于高功率密度電源轉換裝置，如大功率開關電源、高壓直流變換器、儲能系統中的逆變電路以及可再生能源發電設備的功率級設計，適合在高頻、高電壓條件下實現高效電能轉換，是先進電力電子系統中的關鍵開關元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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HXYS117N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:117A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:33mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:117A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:33mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢