HXY50P03BD_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該P溝道場效應管具有30V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）耐受能力，適用于中等電壓電源開關場景。其連續(xù)漏極電流（ID）可達50A，導通電阻低至15mΩ，有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。低RDON特性使其在大電流應用中具備良好的熱穩(wěn)定性。器件采用P溝道設計，在柵極無驅動信號時可實現(xiàn)導通狀態(tài)，常用于高邊開關、電池供電設備的電源管理及負載切換電路，滿足對能效和空間利用率要求較高的設計需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY50P03BD_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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