HXYS97N65MPI_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:97A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本款N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和97A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）低至25mΩ，有效降低導通損耗。采用寬禁帶半導體材料碳化硅，具備優異的高頻開關性能與高溫工作穩定性。適用于高功率密度電源轉換系統，如高效開關電源、高壓直流變換器及大功率射頻能量應用，可顯著提升系統整體能效并減小散熱設計負擔，是現代高效率電力電子電路中的關鍵器件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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HXYS97N65MPI_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:97A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:97A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢