HXYS36N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本款N溝道碳化硅場效應管具備1200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和36A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至80mΩ，在高頻高壓應用中表現出優異的導通與開關性能。柵源額定電壓為±20V，確保器件在高電場環境下的工作穩定性。采用碳化硅材料，顯著降低開關損耗，提升系統整體能效。適用于高功率密度電源轉換系統，如高效直流變換器、光伏逆變模塊及儲能系統的功率級設計，可在高溫與高電壓條件下保持可靠運行。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢