HXYS81N120MP_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:81A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管具備1200V的漏源電壓（VDSS）和81A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至21mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。其采用寬禁帶半導(dǎo)體材料，可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率與工作溫度，同時(shí)降低開關(guān)損耗。典型應(yīng)用于高壓直流變換、逆變電源、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)及高密度電源模塊中，適合對(duì)熱管理與電氣性能有嚴(yán)苛要求的場(chǎng)景。器件兼具快速體二極管響應(yīng)與優(yōu)異的抗雪崩能力，有助于提升系統(tǒng)整體能效與可靠性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HXYS81N120MP_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:81A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:81A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢