HXYT100N65MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):100A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.45V 參數4：二極管正向電流(IF):100A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該IGBT具備100A的集電極連續電流能力，可承受最高650V的集射極電壓，適用于中高功率場景。其集射極飽和電壓為1.45V，配合內置續流二極管（正向電流100A，正向壓降1.55V），有助于降低導通損耗并提升系統效率。器件在高頻率開關應用中表現出良好的熱穩定性和電流處理能力，適合用于電源轉換、能量變換及電機驅動等電路設計，滿足對功率密度與可靠性要求較高的需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYT100N65MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：集電極電流(Ic):100A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.45V 參數4：二極管正向電流(IF):100A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):100A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.45V 參數4：二極管正向電流(IF):100A 標價：歡迎咨詢