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              STW20N65M5-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-247
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：30/管裝
                                                        參數1：ID:25A
                                                        參數2：VDSS:800V
                                                        參數3：RDON:165mR
                                                        參數4：VGS:-8/+20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓達800V，導通電阻為165mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，確保器件在多種驅動條件下穩定工作。碳化硅材料帶來的高熱導率和低開關損耗特性，使其適用于高頻、高效率的電源轉換系統，如服務器電源、光伏逆變器及儲能設備中的功率開關環節。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式