MSJW20N65A-BP-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具有25A的連續(xù)漏極電流（ID）和800V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為165mΩ。柵源電壓范圍為-8V至@0V，支持較寬的驅(qū)動條件，有助于提升開關(guān)控制的可靠性。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻工作時仍能保持較低的開關(guān)與導(dǎo)通損耗，適用于對效率、熱管理及功率密度有較高要求的電力電子系統(tǒng)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MSJW20N65A-BP-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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