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              SIHP100N65E-GE3-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-220C
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：50/管裝
                                                        參數1：ID:30A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:94mR
                                                        參數4：VGS:-10/+25V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該碳化硅場效應管（MOSFET）為N溝道結構，最大漏極電流ID為30A，漏源擊穿電壓VDSS達650V，導通電阻RDS(ON)為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓與大電流條件下仍保持較低的導通損耗和良好的開關性能，適用于對效率和熱管理要求較高的電力轉換系統。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，適合多種拓撲結構中的高頻開關應用。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式