STP20N65M5-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具備800V漏源耐壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為165mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持安全可靠的柵極驅動操作。采用碳化硅材料，器件具有優異的高頻開關特性、耐高溫性能及較低的開關損耗。適用于高功率密度電源系統，如大功率開關電源、高壓DC-DC轉換模塊、可再生能源發電逆變裝置及儲能系統的功率級設計，適合在高效率、高頻率的電力變換場景中應用。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STP20N65M5-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢