IPP65R190CFDXKSA2-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本款N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）典型值為165mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持穩定驅動與負壓關斷，增強工作可靠性。得益于碳化硅材料的寬禁帶特性，器件具備優異的高溫耐受性與快速開關性能。適用于高功率密度、高頻率的電力轉換應用，如高效能電源模塊、可再生能源逆變裝置、儲能系統功率級及大功率DC-DC變換器設計。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢