SIHG21N65EF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅場效應(yīng)管為N溝道結(jié)構(gòu)，最大漏極電流ID為25A，漏源擊穿電壓VDSS達(dá)800V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為165mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓與低導(dǎo)通損耗特性，適用于對效率和熱性能要求較高的電力轉(zhuǎn)換場景。其寬柵壓范圍增強(qiáng)了驅(qū)動兼容性，適合在高頻開關(guān)條件下穩(wěn)定運(yùn)行，滿足多種電源管理與能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIHG21N65EF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢