C3D150065B_module-B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：module-B 類別：碳化硅二極管最小包裝：6/托盤參數1：IF:150A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.45V 參數4：IR:5uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管額定持續正向電流為150A，反向耐壓達650V，適用于中高功率直流轉換系統。其正向導通壓降為1.45V，在保證低導通損耗的同時具備良好的熱穩定性。反向漏電流低至5μA，展現出優異的阻斷能力，有助于減少待機功耗。器件可承受高達750A的非重復浪涌電流，具備較強的瞬態過載承受力。得益于碳化硅材料的特性，該二極管具有快速開關響應和較低的反向恢復電荷，適用于高頻整流電路、高效能電源模塊及緊湊型能量轉換裝置，有利于提升系統效率并減小磁性元件體積。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

C3D150065B_module-B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：module-B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：6/托盤 參數1：IF:150A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.45V 參數4：IR:5uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：module-B 類別：碳化硅二極管最小包裝：6/托盤參數1：IF:150A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.45V 參數4：IR:5uA 標價：歡迎咨詢