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C3M0025065L-TR-HXY_TOLLS_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET的連續(xù)漏極電流（ID）為99A，漏源擊穿電壓（VDSS）達(dá)650V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為26mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，在高頻開關(guān)應(yīng)用中展現(xiàn)出低導(dǎo)通損耗與優(yōu)異的熱性能，適用于高效率、高功率密度的電源系統(tǒng)，如服務(wù)器電源、可再生能源轉(zhuǎn)換裝置及高頻DC-DC變換器等場(chǎng)景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

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C3M0025065L-TR-HXY_TOLLS_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢