C3D100065B_module-B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：module-B 類別：碳化硅二極管最小包裝：6/托盤參數1：IF:100A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.3V 參數4：IR:5uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管額定持續正向電流為100A，反向重復峰值電壓達650V，適用于中高壓直流系統。其正向導通壓降僅為1.3V，在同類器件中具有較低的導通損耗，有助于提升能效。反向漏電流低至5μA，表現出優異的阻斷性能和熱穩定性。器件可承受750A的非重復浪涌電流，具備較強的瞬態耐受能力。基于碳化硅材料的高速開關特性，該二極管可有效減少開關損耗，適用于高頻功率變換拓撲，如高效整流電路、大功率電源模塊及高密度能量轉換裝置，支持系統向小型化與高效化發展。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

C3D100065B_module-B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：module-B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：6/托盤 參數1：IF:100A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.3V 參數4：IR:5uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：module-B 類別：碳化硅二極管最小包裝：6/托盤參數1：IF:100A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.3V 參數4：IR:5uA 標價：歡迎咨詢