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              RJK03E1DNS-00#J5-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:40A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:5mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道場效應管(MOSFET)具備40A的連續漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))僅為5mΩ。低導通電阻有助于顯著降低導通損耗,提升系統能效,適用于高頻率開關電源、便攜式設備供電管理以及電機控制等應用場合。其電氣特性支持快速開關動作,在緊湊布局中仍能維持良好的熱穩定性和可靠性。

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