IPP60R250CP-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本款N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源耐壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）低至165mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升能效。柵源電壓范圍為-10V至@5V，確保器件在驅(qū)動下的穩(wěn)定性和可靠性。依托碳化硅材料的高臨界電場與高熱導(dǎo)率特性，該器件具備優(yōu)異的高頻開關(guān)性能、高溫工作能力及較低的開關(guān)損耗，適用于高功率密度電源系統(tǒng)，如高效直流變換器、大功率開關(guān)電源模塊、可再生能源發(fā)電逆變設(shè)備以及儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換單元。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPP60R250CP-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢