TK8P65W,RQ_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS），在25℃條件下可支持10.2A的連續漏極電流（ID），其導通電阻（RDS(on)）為550mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V（VGS），適用于需要高耐壓與中等電流能力的電力轉換場景。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性和開關性能，適合用于對效率和熱管理有較高要求的電源系統中。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
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TK8P65W,RQ_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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