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              FF06030J-7_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-263-7L
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：800/圓盤
                                                        參數1：ID:73A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:26mR
                                                        參數4：VGS:-10/+25V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為73A，最大漏源電壓為650V，導通電阻為26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具有低開關損耗和高耐溫特性，適合用于高效率、高頻率的電力電子系統，例如數據中心電源、光伏逆變器以及大功率快充裝置等場景，能夠有效支持緊湊型高能效設計。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式