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              CDMSJ2204.7-650 SL_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-220F
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：50/管裝
                                                        參數1：ID:5.1A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:820mR
                                                        參數4：VGS:-8/+20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），在25℃條件下可支持5.1A的連續漏極電流（ID）。其導通電阻（RDS(on)）典型值為820mΩ，在柵源電壓（VGS）范圍為-8V至@0V時能穩定工作。器件采用碳化硅材料，具備較高的耐壓能力和較低的開關損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的高頻電源轉換場景，如服務器電源、通信電源及可再生能源系統中的功率變換模塊。
                              
              
            
              
            
              
                
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