IPP045N10N3GHKSA1-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:4.1mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及4.1毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻使其在大電流導通狀態下功耗較低，有助于提升系統整體效率。器件適用于高效率電源轉換、電機驅動和高頻開關電路等應用，在需要高可靠性和穩定電氣性能的場合中表現良好。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPP045N10N3GHKSA1-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:4.1mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:4.1mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢