PSMN4R8-100PSEQ-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:4.1mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道MOSFET額定漏極電流ID為120A，漏源擊穿電壓VDSS為100V，導通電阻RDS(ON)典型值為4.1毫歐。其低導通電阻有助于在大電流工作時顯著降低導通損耗，提升整體能效。器件結構支持高效散熱，在高負載條件下仍可維持穩定性能。適用于需要高電流處理能力與低功耗特性的電源管理、電機驅動及高頻開關等應用場景，能夠可靠應對嚴苛的電氣工作環境。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PSMN4R8-100PSEQ-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:4.1mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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