GC300N65F_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:320mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和9A的連續漏極電流（ID），在25℃條件下導通電阻（RDS(ON)）典型值為320mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，適用于高頻、高效率的功率轉換場景。器件基于碳化硅材料，具備優異的熱穩定性和開關性能，可在嚴苛電氣環境下保持可靠運行，適合用于對能效與體積有較高要求的電源系統中。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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GC300N65F_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:320mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:320mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢