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              APC65R210FMF_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-220F
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：50/管裝
                                                        參數1：ID:20A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:160mR
                                                        參數4：VGS:-5~+16V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流ID為20A，漏源電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)為160mΩ，柵源驅動電壓VGS范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅工藝，在高頻工作時具備較低的導通與開關損耗，同時支持較寬的柵極驅動窗口，有助于簡化驅動電路設計。適用于高效率電源、可再生能源轉換系統、數據中心供電及便攜式高功率設備等應用場景。
                              
              
            
              
            
              
                
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